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型号 IPB081N06L3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
IPB081N06L3 G PDF
代理商 IPB081N06L3 G
标准包装 1,000
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 8.1 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.2V @ 34µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 29nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4900pF @ 30V
功率 - 最大 79W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-2
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPB081N06L3 G-ND
SP000398076
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